第253章 最大的难点

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另辟蹊径，研制了一款全新的光刻机——

　　超分辨纳米光刻机。

　　这种光刻机采用了与传统光刻设备完全不同的技术路线，用365纳米近紫外光源，单次曝光最高线宽分辨力达到22纳米，结合多重曝光技术后，可用于制造10~9纳米级别的芯片。

　　而这款光刻设备，使用的是波长更长、更普通的紫外光，在普通环境下便能完成光刻，意味着国产光刻机使用低成本光源，实现了更高分辨力的光刻。

　　制造成本只有ASML公司光刻机的几分之一，乃至十几分之一。

　　技术原理层面的突破，更是相当于别人在开山修路的时候，你打通了一条隧道。

　　不过超分辨纳米光刻机虽好，却也存在一个较为严重的缺陷。

　　那就是曝光时间过长。

　　尤其实在芯片领域，EUV光刻机曝光15秒便能完成的任务，超分辨光刻机需要十多天。

　　更加形象的比喻是，传统光刻机是直接拍出一张照片，超分辨光刻则是拿一支笔，慢慢画出一张图片……效率差别巨大。

　　……

　　商海微电子公司。

　　来到这家公司调研的陈今，看到面前的这台22纳米超分辨光刻机，听了该公司的老总张昱明的介绍后。

　　“你说这么好的设备，不能用于芯片的制造，为什么不能？”

　　陈今皱着眉头，这太可惜了吧。

　　“不是不能，而是太慢！我们想了各种办法提高它的曝光效率，但曝光一张影刻，依然需要五天的时间，效率是传统光刻几万分之一，这完全抵消了我们的成本优势，只适合给一些较小规模的市场，比如军用芯片、光学器件、高精密光栅、光子晶体阵列等等，这些领域我们的超分辨光刻机卖了好几十台。”

　　“但大规模的芯片制造，只能老老实实地发展传统光刻。”

　　张昱明摇着头道。

　　目前商微电子的10nm光刻机，走的就是193nm光源浸没式光刻路线，但制造成本太高，没有市场竞争力，又面临着ASML的专利壁垒，故而没

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