第253章 最大的难点_捡到一个星球校对版 首页

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第253章 最大的难点

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另辟蹊径,研制了一款全新的光刻机——

  超分辨纳米光刻机。

  这种光刻机采用了与传统光刻设备完全不同的技术路线,用365纳米近紫外光源,单次曝光最高线宽分辨力达到22纳米,结合多重曝光技术后,可用于制造10~9纳米级别的芯片。

  而这款光刻设备,使用的是波长更长、更普通的紫外光,在普通环境下便能完成光刻,意味着国产光刻机使用低成本光源,实现了更高分辨力的光刻。

  制造成本只有ASML公司光刻机的几分之一,乃至十几分之一。

  技术原理层面的突破,更是相当于别人在开山修路的时候,你打通了一条隧道。

  不过超分辨纳米光刻机虽好,却也存在一个较为严重的缺陷。

  那就是曝光时间过长。

  尤其实在芯片领域,EUV光刻机曝光15秒便能完成的任务,超分辨光刻机需要十多天。

  更加形象的比喻是,传统光刻机是直接拍出一张照片,超分辨光刻则是拿一支笔,慢慢画出一张图片……效率差别巨大。

  ……

  商海微电子公司。

  来到这家公司调研的陈今,看到面前的这台22纳米超分辨光刻机,听了该公司的老总张昱明的介绍后。

  “你说这么好的设备,不能用于芯片的制造,为什么不能?”

  陈今皱着眉头,这太可惜了吧。

  “不是不能,而是太慢!我们想了各种办法提高它的曝光效率,但曝光一张影刻,依然需要五天的时间,效率是传统光刻几万分之一,这完全抵消了我们的成本优势,只适合给一些较小规模的市场,比如军用芯片、光学器件、高精密光栅、光子晶体阵列等等,这些领域我们的超分辨光刻机卖了好几十台。”

  “但大规模的芯片制造,只能老老实实地发展传统光刻。”

  张昱明摇着头道。

  目前商微电子的10nm光刻机,走的就是193nm光源浸没式光刻路线,但制造成本太高,没有市场竞争力,又面临着ASML的专利壁垒,故而没

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